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FGH75T65SHD-F155
650V 150A
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH75T65SHD-F155
- 商品编号
- C511966
- 商品封装
- TO-247-G03
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 455W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@75mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC | |
| 输入电容(Cies) | 3.68nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 179pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 43pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 28ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 80ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 720uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 43.4ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
- HGTP10N120BN
- NCS199A1RSQT2G
- NCV4266-2CST50T3G
- NCV317MBSTT3G
- NTMFS4C302NT1G
- LAN8820-ABZJ
- LTC3786EUD#TRPBF
- MCP1404-E/P
- MCP1700T-1502E/TT
- MCP1701AT-5002I/CB
- MCP1703-3302E/DB
- MCP1703AT-2802E/CB
- MCP1727-3302E/MF
- MCP3202T-BI/SN
- MCP3304-CI/SL
- MCP6241-E/MC
- MCP6284-E/ST
- MCP6V12T-E/MS
- MIC5205-2.5YM5-TR
- MIC5225-3.3YM5-TR
- MIC5283-5.0YME