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NTMFS4C302NT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFS4C302NT1G

耐压:30V 电流:230A

描述
NTMFS4C302N 是一个单 N 沟道功率 MOSFET,占地面积小,适合紧凑设计。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS4C302NT1G
商品编号
C511972
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.139克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)230A
导通电阻(RDS(on))1.15mΩ@10V,230A
耗散功率(Pd)96W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)37nC@10V
输入电容(Ciss)5.78nF@15V
反向传输电容(Crss)70pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货49-51个工作日

购买数量

(5000个/圆盘,最小起订量 10000 个)
起订量:10000 个5000个/圆盘

总价金额:

0.00

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