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NTMFS4C302NT1G
耐压:30V 电流:230A
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- 描述
- NTMFS4C302N 是一个单 N 沟道功率 MOSFET，占地面积小，适合紧凑设计。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C302NT1G
- 商品编号
- C511972
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V,230A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.78nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低导通损耗
- 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准