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PIC12F635-I/P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PIC12F635-I/P

采用nanoWatt技术、基于闪存的8位CMOS微控制器,8/14引脚

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:高性能RISC CPU:仅需学习35条指令,除分支指令外均为单周期指令。工作速度:DC – 20 MHz振荡器/时钟输入,DC – 200 ns指令周期。中断能力。8级深度硬件堆栈。直接、间接和相对寻址模式。 特殊微控制器特性:精密内部振荡器:工厂校准精度为±1%(典型值),软件可选频率范围为8 MHz至125 kHz,软件可调,双速启动模式,关键应用的晶体故障检测,运行期间可进行时钟模式切换以节省功耗
商品型号
PIC12F635-I/P
商品编号
C512105
商品封装
PDIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
1.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核PIC
CPU最大主频20MHz
CPU位数8 Bit
程序存储容量1.75KB
程序存储器类型FLASH
属性参数值
RAM容量64Byte
EEPROM容量128Byte
I/O数量5
振荡器类型内置
工作电压2V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃

商品特性

  • 高性能RISC CPU:
    • 仅需学习35条指令,除分支指令外均为单周期指令
    • 工作速度:DC – 20 MHz振荡器/时钟输入,DC – 200 ns指令周期
    • 中断能力
    • 8级深度硬件堆栈
    • 直接、间接和相对寻址模式
  • 特殊微控制器特性:
    • 精密内部振荡器:工厂校准至 ±1%(典型值),软件可选频率范围为8 MHz至125 kHz,软件可调,双速启动模式,关键应用的晶体故障检测,运行期间时钟模式切换以节省功耗
    • 时钟模式切换以实现低功耗运行
    • 节能睡眠模式
    • 宽工作电压范围(2.0V - 5.5V)
    • 工业和扩展温度范围
    • 上电复位(POR)
    • 唤醒复位(WUR)
    • 独立弱上拉/下拉电阻
    • 可编程低压检测(PLVD)
    • 上电定时器(PWRT)和振荡器启动定时器(OST)
    • 带软件控制选项的欠压复位(BOR)
    • 增强型低电流看门狗定时器(WDT),带片上振荡器(软件可选标称268秒,带全预分频器),软件使能
    • 带拉/输入引脚的复用主清除
    • 可编程代码保护(程序和数据独立)
    • 高耐久性闪存/EEPROM单元:100,000次写入闪存耐久性,1,000,000次写入EEPROM耐久性,闪存/数据EEPROM保留时间 > 40年
  • 低功耗特性:
    • 待机电流:1 nA @ ≥ 3.0V(典型值)
    • 工作电流:8.5 μA @ 32 kHz,2.0V(典型值),100 μA @ 1 MHz,2.0V(典型值)

数据手册PDF

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