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HGTP10N120BN
35A、1200V，NPT系列N沟道IGBT
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- 描述
- HGTG10N120BN、HGTP10N120BN和HGT1S10N120BNS采用非穿通（NPT）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计。它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTP10N120BN
- 商品编号
- C511971
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 298W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@10A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V@90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 165ns | |
| 导通损耗(Eon) | 320uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 800uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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