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FDT86113LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.3A
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- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT86113LZ
- 商品编号
- C462748
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,3.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特殊优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。增加了栅源齐纳二极管，以提高ESD电压等级。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 3.3 A时，最大rDS(on) = 100 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A时，最大rDS(on) = 145 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的rDS(on)
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和高电流处理能力
- 人体模型（HBM）ESD保护等级典型值>3 KV
- 100%进行非箝位感性负载（UII）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流开关
- SOT-223