FDS4072N7
40V N沟道MOSFET,电流:12.4A,耐压:40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4072N7
- 商品编号
- C3289654
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.299nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化，在小封装中提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- 3.0 A、200 V。栅源电压（VGS）= 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 128 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关，低栅极电荷（典型值26 nC）
- FLMP SO-8封装：在行业标准封装尺寸下具有增强的热性能
应用领域
-同步整流器-DC/DC转换器