RF3L05250CB4
250W, 28/32V, 高频至1GHz射频功率LDMOS晶体管
- 描述
- 250 W 28/32 V RF 功率 LDMOS 晶体管，频率范围为 HF 至 1 GHz
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- RF3L05250CB4
- 商品编号
- C3288598
- 商品封装
- LBB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@600uA | |
| 输入电容(Ciss) | 128pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型MOSFET，封装为LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装。 本产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反接电池保护。
商品特性
~~- 高散热功率能力-额定温度175°C,适用于对散热要求高的环境-沟槽MOSFET技术-通过AEC-Q101认证
应用领域
- 反接电池保护-电源管理-高端负载开关-电机驱动