商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.33V@150mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- LFPAK4封装，行业标准
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准