TSM80N400CF C0G
1个N沟道 耐压:800V 电流:12A
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- 商品型号
- TSM80N400CF C0G
- 商品编号
- C3288596
- 商品封装
- ITO-220S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.848nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
Power MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术将JFET效应降至最低，提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
- 超结技术
- 高性能,低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积(品质因数FOM)
- 高耐用性
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,以及指令2002/96/EC的WEEE标准
- 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品
应用领域
- 电源
- 交直流LED照明
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