FDS7296N3
30V,15A N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7296N3
- 商品编号
- C3279738
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化，可在小封装中提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 6.0 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 28 mΩ
- 6.7 A、100 V，栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 26 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关，低栅极电荷
- FLMP SO-8封装：在行业标准封装尺寸下具有增强的热性能
应用领域
-同步整流器-DC/DC转换器