DMTH4001SPS-13
N沟道增强模式MOSFET,电流:225A,耐压:40V
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4001SPS-13
- 商品编号
- C3279426
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 187nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.023nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 203pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级范围，是650 V CoolMOS™ CFD2的继任者。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了极高的效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优点以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
商品特性
- 额定温度达 +175℃—— 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 —— 确保最终应用更可靠、更耐用
- 散热高效的封装 —— 降低应用运行温度
- 高转换效率
- 低RDS(ON)—— 最大限度减少导通损耗
- 封装高度小于1.1mm —— 适用于轻薄型应用
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器