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DMTH6016LPS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:37.1A
- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻 $(R_{DS(ON)})$ 并保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6016LPS-13
- 商品编号
- C3279422
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 864pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 282pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON) 并保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低 RDS(ON),最小化导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 散热高效的封装,使应用运行更凉爽
- 封装高度小于1.1mm,适用于轻薄应用
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 符合汽车标准的型号(DMTH6016LPSQ)有单独的数据手册
应用领域
-电源管理-DC-DC转换器-电机控制