DMN90H2D2HCTI
N沟道增强型MOSFET,电流:6A,耐压:900V
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN90H2D2HCTI
- 商品编号
- C3278328
- 商品封装
- ITO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.487nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 低输入电容
- 适用于电源应用的高BVDSS额定值
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电机控制-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能