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STL8N10LF3
N沟道,电流:7.8A,耐压:100V
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- 描述
- 汽车级N沟道100 V、25 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL8N10LF3
- 商品编号
- C2969813
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；40mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术-高功率和大电流处理能力
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 逻辑电平VGS(th)
- 最高结温175 °C
- 100%雪崩额定
- 可焊侧翼封装
应用领域
-开关应用