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STL9P3LLH6
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- P沟道-30 V、12 mOhm典型值、-9 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL9P3LLH6
- 商品编号
- C2969828
- 商品封装
- PowerFLAT(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.615nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
该器件是采用STripFET™ F6技术开发的P沟道功率MOSFET，具有新型沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的 RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用