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STP26N60DM6
N通道,电流:18A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP26N60DM6
- 商品编号
- C2969959
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
SD2943是一款镀金的N沟道MOS场效应射频功率晶体管。它适用于高达150 MHz的50 V直流大信号应用。与SD2933相比，SD2943的功率饱和值高出20%，非常适合将可靠性和耐用性作为关键因素的ISM应用。
商品特性
- 高功率能力
- 在30 MHz时，输出功率（P_OUT）至少为350 W，增益为22 dB
- 饱和功率（P_SAT）为450 W
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 采用散热增强型封装，可降低结温
- 镀金工艺
- 出色的热稳定性
- 共源极配置