温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL120N4F6AG
1个N沟道 耐压:40V 电流:55A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、2.9 mOhm典型值、55 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL120N4F6AG
- 商品编号
- C2970090
- 商品封装
- VDFN-8-PowerPowerFLAT
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 625pF |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET H6技术开发的P沟道功率MOSFET。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用