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BD679
互补硅功率达林顿晶体管
- 描述
- 器件采用平面基岛技术制造，具有单片达林顿结构。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- BD679
- 商品编号
- C2970099
- 商品封装
- SOT-32-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 200uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
商品概述
这些器件采用平面基底岛技术制造，具有单片达林顿结构。
商品特性
- 良好的hFE线性度
- 高fT频率
- 集成反并联集电极 - 发射极二极管的单片达林顿结构
应用领域
- 线性和开关工业设备
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