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MJD122-1
NPN 100V 8A
- 描述
- MJD122和MJD127形成互补的NPN-PNP对。它们采用外延基极技术制造，具有成本效益。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MJD122-1
- 商品编号
- C2970275
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 集电极电流(Ic) | 8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4.5V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.8V |
商品概述
MJD122和MJD127构成互补的NPN - PNP对。它们采用外延基极技术制造，具有高性价比。
商品特性
- 低基极驱动要求
- 集成反并联集电极 - 发射极二极管
- 通孔TO - 251 (IPAK)功率封装，采用管装（后缀“-1”）
- 表面贴装TO - 252 (DPAK)功率封装，采用卷带包装（后缀“T4”）
- 电气性能与TIP122和TIP127相似
应用领域
- 通用开关和放大器
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