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STB30NF20L
汽车级N沟道,电流:30A,耐压:200V
- 描述
- N沟道200 V、0.065 Ohm、30 A、D2PAK STripFET(TM)功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB30NF20L
- 商品编号
- C2970280
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 297pF |
商品概述
这些功率MOSFET采用STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 栅极电荷最小化
- 100% 雪崩测试
- 出色的品质因数 (FoM)
- 极低的本征电容
应用领域
-开关应用