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STL92N10F7AG
1个N沟道 耐压:100V 电流:16A
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- 描述
- 汽车级N沟道100 V、0.008 Ohm典型值、16 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL92N10F7AG
- 商品编号
- C2970300
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 市场上最低的(RDS(on))之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低(Crss / Ciss)比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用