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STD95P3LLH6AG
P通道,电流:-80A,耐压:-30V
- 描述
- 汽车级P沟道-30 V、5 mOhm典型值、-80 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD95P3LLH6AG
- 商品编号
- C2970429
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术，具备增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- 逻辑电平
应用领域
- 开关应用