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STD5NM50AG
汽车级N通道500V, 7.5A, 0.8Ω典型值, MDmesh技术MOSFET
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- 描述
- 汽车级N沟道500 V、0.7 Ohm典型值、7.5 A MDmesh功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD5NM50AG
- 商品编号
- C2970538
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用意法半导体(STMicroelectronics)的革命性MDmesh技术开发,该技术将多漏极工艺与该公司的PowerMESH横向布局相结合。该器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。采用意法半导体的专有条形技术,这款功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 100%经过雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
-开关应用