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STF34N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:28A
- 描述
- N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF34N65M5
- 商品编号
- C2970675
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。 它基于上一代MDmesh器件，采用全新的M6技术，在实现单位面积导通电阻（RDS(on)）显著改善的同时，具备出色的开关性能，为终端应用带来高效且便捷的使用体验。
商品特性
- 全球最佳的导通电阻面积比
- 更高的漏源击穿电压额定值和高dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用