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STU2NK100Z
1个N沟道 耐压:1000V 电流:1.85A
- 描述
- 这是一款采用 SuperMESH 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET，是成熟 PowerMESH 技术的优化版本。该器件不仅显著降低了导通电阻，还具备高 dV/dt 能力，适用于要求苛刻的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU2NK100Z
- 商品编号
- C2970858
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 499pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh™ M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH™水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用