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STS8DN3LLH5
双N沟道,电流:10A,耐压:30V
- 描述
- 双路N沟道30 V、0.0155 Ohm典型值、10 A STripFET(TM) V功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS8DN3LLH5
- 商品编号
- C2970954
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 724pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 该值根据R\textthj-pcb进行额定
- \mathsfR\mathsfDS(on) \star Qg行业基准
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的开关栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- SO-8封装
应用领域
- 开关应用