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STB140NF55T4
1个N沟道 耐压:55V 电流:80A
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- 描述
- 这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且光刻对准步骤要求较低，因此具有出色的制造可重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB140NF55T4
- 商品编号
- C2971061
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
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