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STD60NF55LAT4
1个N沟道 耐压:55V 电流:60A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD60NF55LAT4
- 商品编号
- C2971177
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.588克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET H6技术开发的P沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用
- 汽车领域