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STP100NF04
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- N沟道40 V、0.0043 Ohm典型值、120 A STripFET(TM) II功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP100NF04
- 商品编号
- C2971275
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品概述
这些功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用