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STD10NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- 这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，以实现极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最苛刻的高效转换器。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD10NM60ND
- 商品编号
- C2971509
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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