STL4N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.5A
描述
N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、2.5 A MDmesh K5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 VHV封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STL4N80K5商品编号
C2971554商品封装
VDFN-8包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,1.5A | |
| 功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@100uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.5nC@640V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 175pF@0V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 1pF@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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