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STL8DN10LF3

2个N沟道耐压:100V 电流:20A

描述: 汽车级双路N沟道100 V、25 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STL8DN10LF3
商品编号: C2971879
商品封装: VDFN-8-Power
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

商品概述

该器件是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管，专为高增益、宽带商用和工业应用而设计。它在共源极模式下，工作电压为12 V，工作频率高达1 GHz。该器件采用意法半导体（ST）最新的LDMOS技术，具备出色的增益、线性度和可靠性，并采用首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO - 10RF。其卓越的线性度性能使其成为汽车移动无线电的理想解决方案。PowerSO - 10塑料封装旨在提供高可靠性，是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了专门优化，具备出色的射频性能且易于组装。

商品特性

出色的热稳定性
共源极配置
在500 MHz / 12.5 V条件下，输出功率（P_OUT）为25 W，增益为14.5 dB
新型射频塑料封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	35mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	70W
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	20.5nC
	输入电容(Ciss)	970pF
	反向传输电容(Crss)	11.5pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	115pF