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STD134N4F7AG
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 汽车级N沟道40 V、2.5 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD134N4F7AG
- 商品编号
- C2971704
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 134W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |
商品概述
TF20P02将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的漏源导通电阻。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上最低的RDS(on)之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用