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STL6N2VH5
N沟道,电流:6A,耐压:20V
- 描述
- N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) V功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL6N2VH5
- 商品编号
- C2971723
- 商品封装
- PowerFLAT-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 367pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳的品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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