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STB20NM50FDT4
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB20NM50FDT4
- 商品编号
- C2971599
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF |
商品概述
FDmesh™结合了低导通电阻和快速开关的优点，并带有本征快速恢复体二极管，适合桥接拓扑结构，尤其是零电压开关（ZVS）移相转换器。该产品提供TO-220FP、D²PAK和TO-220封装形式。
商品特性
- 高dv/dt和雪崩能力
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制和高制造良率
应用领域
- 开关应用
- 桥接拓扑结构（尤其是ZVS移相转换器）