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STL60N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:46A
- 描述
- N沟道100 V、0.013 Ohm典型值、12 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL60N10F7
- 商品编号
- C2971694
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）的STripFET™ V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，实现了极低的导通电阻，其品质因数（FOM）在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 该值按照Rthj-pcb进行额定
- RDS(on) * Qg行业基准
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的开关栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- PowerFLAT 3.3x3.3封装
应用领域
- 开关应用
- 汽车领域