STB6N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
描述
N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET,D2PAK封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB6N60M2商品编号
C2971698商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1.72克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,2.25A | |
耗散功率(Pd) | 60W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@480V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 232pF@100V | |
反向传输电容(Crss) | 0.7pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
1+¥6.2832¥14.28
10+¥5.9884¥13.61
30+¥5.8124¥13.21
100+¥5.632¥12.8
500+¥5.5528¥12.62
1000+¥5.5132¥12.53¥12530
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