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STL12P6F6
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- P沟道60 V、0.13 Ohm典型值、3 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL12P6F6
- 商品编号
- C2971612
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融入了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术，在MDmesh上一代器件的基础上进行升级，该技术将出色的单位面积RDS(on)改善与高效的开关性能相结合，同时为用户带来友好体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用