温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD10P10F6
P通道,电流:10A,耐压:100V
- 描述
- P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD10P10F6
- 商品编号
- C2971627
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 864pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
基于专有STripFET技术的40 V N沟道STripFET VI功率MOSFET，具备新型栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻（RDS(on)）。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用