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M95640-DRDW8TP/K
64 Kbit串行SPI总线EEPROM，可在105℃下工作
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- 描述
- 64 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M95640-DRDW8TP/K
- 商品编号
- C2971645
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 50年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL) | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
M95640-DRE是一款64-Kbit串行EEPROM器件，工作温度最高可达105℃。该器件符合AEC-Q100等级2定义的可靠性水平。器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，接口运行速度最高可达20 MHz。存储阵列基于真正的EEPROM技术（电可擦除可编程存储器）。M95640-DRE是字节可修改的存储器（8192×8位），组织为256页，每页32字节，其数据完整性通过嵌入式纠错码逻辑得到显著提升。M95640-DRE提供额外的标识页（32字节），可读取ST器件标识。该页还可用于存储敏感的应用参数，之后可永久锁定为只读模式。
商品特性
- 兼容串行外设接口（SPI）总线
- 64 Kbit（8 Kbytes）EEPROM；页大小：32字节；按块写保护：1/4、1/2或整个存储器；额外的可写锁定页（标识页）
- 扩展的温度和电压范围：最高105℃（Vcc从1.7V到5.5V）
- 高速时钟频率：Vcc≥4.5V时为20 MHz；Vcc≥2.5V时为10 MHz；Vcc≥1.7V时为5 MHz
- 施密特触发器输入用于噪声滤波
- 短写入周期时间：字节写入在4 ms内；页写入在4 ms内
- 写入周期耐久性：25℃时400万次写入周期；85℃时120万次写入周期；105℃时90万次写入周期
- 数据保留：105℃时超过50年；55℃时200年
- ESD保护（人体模型）：4000 V
- 封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）