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STL10N3LLH5
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- N沟道30 V、0.015 Ohm、9 A PowerFLAT(TM) 3.3x3.3 STripFET(TM) V功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL10N3LLH5
- 商品编号
- C2971610
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。凭借其条形布局和改进的垂直结构，该器件呈现出低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 该值按照Rthj-pcb进行额定
- RDS(on) * Qg行业基准
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的开关栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- PowerFLAT 3.3x3.3封装
应用领域
- 开关应用
- 汽车领域