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STW24N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:17A
- 描述
- N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW24N60M6
- 商品编号
- C2971591
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用STripFET™工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器