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STB11NK40ZT4
1个N沟道 耐压:400V 电流:9A
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- 描述
- 这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET，采用SuperMESH技术开发，是成熟的PowerMESH技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在确保在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB11NK40ZT4
- 商品编号
- C2971572
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
PD85035-E是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商用和工业应用而设计。在共源极模式下，它可在高达1 GHz的频率和13.6 V电压下工作。PD85035-E采用首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO-10RF，具备最新LDMOS技术出色的增益、线性度和可靠性。PD85035-E卓越的线性度性能使其成为车载移动无线电的理想解决方案。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在870 MHz/13.6 V条件下，输出功率P_OUT = 35 W，增益为14.9 dB
- 塑料封装
- ESD保护
- 符合2002/95/EC1欧洲指令