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STL7N6LF3
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 汽车级N沟道60 V、35 mOhm典型值、6.5 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL7N6LF3
- 商品编号
- C2971573
- 商品封装
- VDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 432pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用MDmesh™ M2 EP增强性能技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件呈现出低导通电阻和优化的开关特性，且关断开关损耗极低，使其适用于要求极高的甚高频转换器。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 逻辑电平VGS(th)
- 最高结温175 °C
- 100%雪崩额定
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用