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STGWA50IH65DF
650V 100A
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- 描述
- 650 V、50 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA50IH65DF
- 商品编号
- C2971510
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.98nF | |
| 输出电容(Coes) | 150pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 81pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 260ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 284uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
STGWA50IH65DF是最新的650V软开关IH系列IGBT，采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发而成，其性能在导通和开关损耗方面均针对软换相进行了优化。内置一个低正向压降的续流二极管，专为提高任何谐振和软开关应用的效率而设计。
商品特性
- 仅设计用于软换相
- 最高结温：T_J=175℃
- V_CE(sat)=1.5V（典型值）@ I_C=50A
- 尾电流最小化
- 参数分布紧密
- 热阻低
- 内置低电压降续流共封装二极管
- V_CE(sat)具有正温度系数
应用领域
- 感应加热
- 谐振转换器
- 微波炉