STGB30V60DF
耐压:600V 电流:60A
描述
600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STGB30V60DF商品编号
C2971543商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1.72克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管/模块 | |
IGBT类型 | FS(场截止) | |
集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
集电极电流(Ic) | 60A | |
功率(Pd) | 258W | |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.3V@15V,30A | |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 163nC |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
输入电容(Cies@Vce) | - | |
开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
关断延迟时间(Td(off)) | 189ns | |
导通损耗(Eon) | 0.383mJ | |
关断损耗(Eoff) | 0.233mJ | |
反向恢复时间(Trr) | 53ns | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
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1000+¥10.255007¥10255.01
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