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STGB30V60DF
600V 60A
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- 描述
- 600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB30V60DF
- 商品编号
- C2971543
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.73克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 258W | |
| 输出电容(Coes) | 120pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC | |
| 输入电容(Cies) | 3.75nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 189ns | |
| 导通损耗(Eon) | 383uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 233uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 53ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 77pF |
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