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STGB30V60DF实物图

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STGB30V60DF

环保标识
  • 耐压:600V 电流:60A

  • 描述

    600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

  • 品牌名称ST(意法半导体)
  • 商品型号

    STGB30V60DF
  • 商品编号

    C2971543
  • 商品封装

    D2PAK
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    1.72克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)60A
功率(Pd)258W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2.3V@15V,30A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)163nC
属性参数值
输入电容(Cies@Vce)-
开启延迟时间(Td(on))45ns
关断延迟时间(Td(off))189ns
导通损耗(Eon)0.383mJ
关断损耗(Eoff)0.233mJ
反向恢复时间(Trr)53ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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