温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PD55025S-E
N沟道 耐压:40V 电流:7A
SMT扩展库PCB免费打样
- 描述
- 25W 12.5V 500MHz LDMOS，powerSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD55025S-E
- 商品编号
- C2971498
- 商品封装
- PowerSO-10RF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 86pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，以实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在500 MHz / 12.5 V条件下,输出功率(POUT)为25 W,增益为14.5 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
- 开关应用