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STF100N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:46A
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- 描述
- N沟道60 V、4.6 mOhm典型值、46 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF100N6F7
- 商品编号
- C2971501
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 970pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)，同时导通电阻 (RDS(on)) 较低，适用于要求极高的高效转换器，非常适合桥式拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器。
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐受性
应用领域
- 开关应用