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PD55003L-E
N通道增强模式横向MOSFET,电流:2.5A,耐压:40V
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- 描述
- 3W 12.5V 500MHz LDMOS，PowerFLAT塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD55003L-E
- 商品编号
- C2971478
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品概述
PD55003L-E是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管,专为高增益宽带商业和工业应用而设计。它在共源极模式下,工作电压为12 V,最高工作频率可达1 GHz。PD55003L-E采用创新的无引脚贴片塑料封装PowerFLAT,搭载了STH1LV最新LD - MOS技术,具备出色的增益、线性度和可靠性。 PD55003L-E卓越的线性性能使其成为汽车移动无线电的理想解决方案。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在500 MHz/12.5 V条件下,输出功率POUT = 3 W,增益为17 dB
- 新型无引脚塑料封装
- 静电放电(ESD)保护
- 采用3000个单位的卷带包装供货
- 符合2002/95/EC欧洲指令
应用领域
- 开关应用