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STB16NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:16A
- 描述
- 这款功率MOSFET采用独特的单特征尺寸条形工艺，晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性，减少关键对准步骤，因此具有出色的制造再现性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB16NF06LT4
- 商品编号
- C2971407
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。该技术基于上一代MDmesh器件，通过全新的M6技术，将出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，为终端应用提供最高的效率和便捷的使用体验。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极输入电阻低
- 100%雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器